摘要: 采用AgCu/Ni复合中间层钎焊SiO2陶瓷与TC4合金，形成良好接头；采用组织均匀，熔点为909.1℃的自制AgCuTiNi活性钎料对SiO2陶瓷进行钎焊，形成良好接头. 通过扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析(XRD)等手段对上述两种钎焊试件的界面组织进行分析，研究Ti元素的活度对SiO2陶瓷-TC4接头陶瓷侧界面行为的影响. 结果表明，TC4/AgCu/Ni/SiO2陶瓷接头的典型界面结构为TC4合金/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷；AgCuTiNi/SiO2陶瓷试件的典型界面结构为Ti2(Cu,Ni)/Ti(s,s)+Ti2(Ni,Cu)+Ti2(Cu,Ni)/Ti4O7+TiSi2/SiO2陶瓷. 钎焊温度为970℃，保温时间相同时，随着Ti元素活度的增强SiO2陶瓷侧反应层厚度明显增加. 钎焊温度为970℃，Ti元素活度相同时，随着保温时间的延长，SiO2陶瓷侧反应层厚度增加.