摘要: 采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、能谱仪(EDS)研究了GaAs/Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)/GaAs焊接界面的微观结构及焊接机理. 通过剪切试验测试了低温活性焊接的力学性能. 结果表明，Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)低温活性焊料能够在250℃的空气环境中润湿GaAs基板；接头界面处有化合物Ga4Ti5生成. 采用吸附理论和反应热力学方法分析了低温活性焊接机理. 结果表明，GaAs基板与Ti原子之间存在较大的化学吸附能，可能是实现润湿的重要原因；GaAs与Ti原子发生界面反应并形成界面化合物是实现焊接的主要机理. 保温时间1，30和60 min的焊接样品的抗剪强度分别是15.25，17.43和23.32 MPa，满足MIL-STD-883G-2006对芯片粘贴抗剪强度的要求.